PD-95033A
IRFR2407PbF
IRFU2407PbF
? Lead-Free
www.irf.com
1
12/10/04
相关PDF资料
IRFR2905ZTRRPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFR310TRLPBF MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRFR320TRRPBF MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IRFR3412TRPBF MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IRFR3418TRPBF MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
IRFR3504TRPBF MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRFR3706CTRLPBF MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFR3706TRLPBF MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
相关代理商/技术参数
IRFR24N10D 功能描述:MOSFET N-CH 100V DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR24N15D 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFR24N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 24A 3PIN DPAK - Bulk
IRFR24N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 95mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR24N15DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFET, 150V, 24A, 95 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR24N15DTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR24N15DTRRP 功能描述:MOSFET MOSFET, 150V, 24A, 95 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2605 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)